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 来源:开户送38体验金娱乐城 作者:开户送38体验金娱乐城 时间:2013-10-15 点击:3243次

近年来国家通过特许权招标、标杆电价以及西部省区推出的光伏电站优惠政策,带动了西部省区大型光伏电站的迅猛发展,对西部大开发也起到了积极的推动作用。但由于西部地区自身电力消化能力有限,电力外送成为发展的瓶颈,而且长距离输送也不经济。大型电站应适度发展,避免出现一哄而上、跑马圈地的现象。应在西部统一规划布局,规划装机容量,确定竣工并网时间,避免重蹈风电覆辙,造成投资和资源浪费。2011年3月15日在苏州举办的2012年中国半导体市场年会上,发布第六届(2011年度)中国半导体创新产品和技术项目,并对获得创新奖项的企业代表举行了颁奖仪式。由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报共同举办的此次评选活动结果已于2012年1月17日至2月9日通过主办单位网站和《中国电子报》向业界公示,根据公正、公平、公开的原则,公开征求社会意见,接受各方面的监督。在各协会积极组织和推动下进行,经评选委员会按照评审条件和程序进行严格的综合评价,共评选出33项创新产品和技术,范围包括集成电路产品和技术、集成电路制造技术、半导体器件、封装与测试技术、半导体设备和仪器及半导体专用材料。其中入选的半导体专用材料领域的厂家共有八家。它们是:宁波江丰电子材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、有研亿金新材料股份有限公司、杭州格林达化学有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司和浙江晶盛机电股份有限公司。江丰电子:300mm集成电路用Ti、Cu、Ta溅射靶材溅射靶材是采用物理气相沉积技术在制造半导体芯片过程中使用的一种极其重要的关键材料,它具有金属镀膜的均匀性、可控性等诸多优势。但是长期以来,溅射靶材的制造技术一直被以日本和美国为主的几家大型跨国公司所垄断。宁波江丰电子材料有限公司研发的300mm集成电路用Ti、Cu溅射靶材,攻克了300mm硅片用Ti、Cu、Ta超高纯金属提纯和大尺寸硅锭制造技术、靶材制造技术和产业化。靶材不仅可以满足目前180mm~130mm集成电路Ti配线要求,而且进一步满足Cu、Ta组合配线要求。目前,江丰电子公司已全面掌握了靶材制造的关键技术,包括晶粒晶向控制技术、大面积扩散焊接技术、精密机械加工技术和清洗包装技术,并在国内建立起第一个有自主知识产权的半导体靶材生产基地,填补了国内靶材行业的空白,为我国半导体产业的发展提供了有力支撑。天津中环:节能型低压IGBT器件用6英寸区熔硅抛光片制作IGBT器件最重要的基础材料是区熔硅抛光片,目前主流的是6英寸区熔硅抛光片。但在在国内研制还处于空白的情况下,天津中环领先材料技术有限公司利用母公司天津市环欧半导体材料技术有限公司是国内唯一一家批量生产大直径区熔硅单晶的优势,在国内首次研发出了用于节能型低压IGBT器件用的6英寸区熔硅抛光片,产品的技术水平和完成质量已达到国际先进水平。表1国际主流产品与领先公司产品技术指标对比领先公司以上述指标为目标,已实现节能型低压IGBT器件用的6英寸区熔硅抛光片的研制和批量生产,满足了半导体工业的电路集成度高、光刻线宽度细的需求,提高了基底硅抛光片的质量,降低了生产此类高平整度的区熔硅抛光片的难度,对器件与集成电路的电学性能和成品率有着极其重要的影响。有研亿金:集成电路用超高纯铜原材料及200mm铜溅射靶材有研亿金新材料股份有限公司对极大规模集成电路用超高纯铜原料及200mm铜溅射靶材进行了原始创新,打破了国外技术封锁、原材料供应垄断和技术垄断。它采用了先进的超高纯电解铜提纯和熔铸技术,制备出纯度大于6N的超高纯电解铜及大尺寸高纯铜铸锭,通过设计制造超高纯铜专用熔炼炉,成功建立熔炼铸造工艺。公司利用先进的高纯铜靶材微观组织控制技术,建立可控的超高纯铜的变形加工和再结晶热处理工艺,制备的高纯铜靶材的平均晶粒尺寸30m,且分布均匀,晶粒取向呈随机分布。其高纯铜靶材的焊接与精密机加工技术实现了大尺寸薄板型靶材与背板的高强度大面积复合,复合界面的结合强度达到国外靶材的同等水平,保证溅射靶材的安全可靠,同时针对高纯铜靶材纯度高、硬度低、形状复杂等特点,设计合理的装卡,制定精密加工工艺,满足产品尺寸精度要求。而日月光全年营收则略优于预期,营业利益率由8.8%微幅上升至8.9%,带动EPS由原估的2.2元小幅提升至2.22元;明年EPS则由2.65元提升至2.7元,今明两年维持成长态势

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