真人扎金花

夏普决定在6月末前将运营液晶面板主力工厂堺工厂的旗下子公司部分股权出售给大日本印刷公司和日本凸版印刷公司。今后夏普出资比率将降至40%以下。与夏普进行资本合作的台湾鸿海精密工业将成为拥有日本最尖端技术的堺工厂的最大股东，并将掌握经营主导权。此 据了解，工信部正在研究把强制性能耗物耗和清洁生产标准作为落后产能界定的主要依据的具体操作办法，根据污染防治工作的需要，逐步增加落后产能淘汰的行业，制定十二五重点行业淘汰落后产能目标，并发布下达年度淘汰落后产能计划。如果地方完不成淘汰落后产能的目标，将被实施区域限批。日月光近期打算收购为三洋电机（Sanyo）代工的洋鼎科技，全力冲刺中低阶封装制程。日月光内部针对此案三缄其口，发言体系响应「不知有此事，无法做任何评论」。洋鼎科技位在硅品台中总部旁的台中潭子加工区，业者透露，若日月光并购成功，恐将与硅品展开一 目前，有研亿金公司的微电子级超高纯铜主要应用于极大规模集成电路铜制成晶圆制造、先进封装和薄膜太阳能CIGS工艺，产品包括系列溅射靶材、铜阳极和蒸发材料。其中TangoAxcela300系列封装用铜靶材基本占领了国内主要的系列封装类高纯铜靶材市场，取代了进口产品，并开始出口销售美国市场。杭州格林达：电子级光刻胶显影液四甲基氢氧化铵电子级四甲基氢氧化铵（TMAH）是电子化学品中用量最大的产品之一，作为显影液广泛用于TFT-LCD（彩色薄膜晶体管液晶显示器）及半导体的生产过程。在玻璃基板或电子元器件经过镀膜、上光阻、曝光后，用四甲基氢氧化铵水溶液来清洗曝光后的光阻，从而达到所需的图形。由于清洗质量的好坏直接影响到电子产品品质，因此对电子级四甲基氢氧化铵的质量要求十分严格。与其它如KOH显影液相比，TMAH最突出的优点是纯度高，金属离子含量低，显影清洗后不留金属痕迹，显影效果也非KOH所能比。杭州格林达化学有限公司的TMAH产品采用了一条比国际上所用生产技术更先进，更绿色的生产路线，主要采用的技术创新体现在纯化技术、特殊电解阳极的研制、特种离子交换膜的选用、高精度的过程浓度在线检测控制技术、专用的界面活性剂以及碳酸盐电解法生产工艺技术。它选定的阳极材料可连续使用六个月以上，远高于钌钛电极的使用寿命（20天）；选用的350型膜使用6个月基本不起泡，产品质量指标正常，同时产品离子选择性率高，单个金属离子浓度小于1ppb。通过连续在线的微量分析、调节控制等方式，使过程浓度控制精度达到0.03%。碳酸盐电解法则对环境基本无危害，合成过程产生的甲醇全部回收循环套用，合成中间体电解用，阴极液是产品，冷却用水循环利用。工艺过程环保，产品绿色。格林达化学有限公司电子级TMAH技术的突破及其产业化，直接影响了全球TMAH的市场与价格，该产品的国际价格下调超过20%，改变了国内电子行业所需的电子级产品完全依赖进口的局面。目前公司产品在国内TFT-LCD行业已占有90%以上的市场分额，在全球占有25%的市场份额。普兴电子：8英寸快恢复二极管用双层外延片快恢复二极管（简称FRD）技术方案各家大同小异，但是解决器件软特性硅外延材料的分布起着至关重要的作用，河北普兴电子科技股份有限公司已成功生长了满足器件要求的双层外延材料，器件结果已达到或超过了国外同类产品水平。目前，采用缓冲层结构可以有效改善反向恢复的软特性，制作成n-nn+型外延结构，n型为缓冲层，缓冲层形成双基区，可以显著改善二极管的软度，在反向恢复过程中使得耗尽层到达缓冲层后扩展明显减慢，这样，经过少数载流子存储时间之后，在缓冲层中还有大量的载流子未被复合抽走，使得复合时间相应增加，从而提高二极管的软度因子。河北普兴电子科技股份有限公司通过控制气流、温度场、衬底边缘及背面、基座等参数，使该产品在国内率先实现了批量生产，参数典型结果为：厚度均匀性（EE10mm）1.5%；电阻率均匀性（EE10mm）2%；GBIR：8um；STIR1m，强光灯下100%无滑移，背面及边缘平整度也达到了和国外同类产品相当的水平。中能硅业：GCL法多晶硅超大规模清洁生产技术GCL法多晶硅超大规模清洁生产技术，是江苏中能硅业科技发展有限公司在创新集成氯氢化、高效化学气相沉积、反歧化等关键技术，结合自主研发形成的、物料和能量平衡得到充分优化的新一代高效多晶硅生产工艺。在对国外先进技术和设备引进吸收的基础上，技术团队对关键技术进行了大量自主创新，系统分析并优化了物料和能量平衡，重新构建了工艺链，最终在技术指标上全面超越引进技术，成功实现物料的全循环利用，并逐步实现了设备的国产化。其中关键技术环节的创新如下：氯氢化技术：将冶金级硅粉加热后送入流化床反应器，还原回收的副产物SiCl4加热汽化，和预热的氢气一起送入反应器，在SiCl4、氢气、硅粉反应的同时，加入预热过的氯化氢气体，以提高硅粉的一次转化率和SiHCl3的产量。反应混合气经旋风分离器除尘后，回收热量，淋洗冷凝，得到液态氯硅烷产物，精馏分离出SiHCl3。不凝气（氢气）回收重新反应。这种方案将氯化氢引入反应，最大限度地利用反应热，并提高了硅粉的单程转化率和SiHCl3产量；采用了系统外加热，提高了反应体系的稳定性和安全性；采用新型催化剂，提高SiCl4单程转化率到28％以上；采用高效湿法除尘工艺，有效去除产物中的杂质。高效化学气相沉积技术：采用了新结构的大型高效还原炉，优化了硬件，辅以相配套的工艺参数，改善了反应器内流场和温场分布，促进了还原反应并抑制了副反应发生，将SiHCl3原料的还原实收率、产品还原电耗、单炉产量都提升到国内领先、国际先进水平。这种高压、高沉积速率工艺技术方案，大幅降低生产电耗并提高了沉积速率；设计开发了具有特殊电极排布方式的大型高效还原炉，具备优于传统还原炉的空间利用率和生产效果。反歧化技术：该技术采用固定床反应器，在固定床反应器中SiH2Cl2在催化剂作用下转化为SiHCl3，得到含有少量SiH2Cl2的SiHCl3、SiCl4混合物，将混合物进行精馏分离，得到的SiHCl3经进一步提纯供给多晶硅还原工序，SiH2Cl2和四氯化硅返回固定床反应器。这种技术方案的优点是：单程转化率高，SiH2Cl2单程转化率在96%以上；催化效率高、反应条件温和；处理量大，采用固定床反应器，单套设备年处理能力可达到10000吨/年以上。天津环欧：10-2cm5英寸区熔重掺硅单晶区熔重掺硅单晶是天津市环欧半导体材料技术有限公司通过设计高精度掺杂装置、改进工艺，克服了高浓度气掺条件下的电离打火、成晶困难等问题，并在保证高浓度掺杂计量的情况下，以时间为单位控制每一部分单晶的掺杂量，成功制备了轴向电阻率均匀变化小、电阻率入档合格率高的区熔重掺硅单晶，从而提高了单晶出片率（单位长度单晶切片数），使成本得到有效的降低。产品可用于制备TVS等一些对硅单晶电阻率控制范围较严格的器件上，如在TVS器件要求条件下（电阻率1.24~1.9cm时），同直拉法制备重掺杂硅单晶相比，区熔重掺硅单晶可有效降低成本约30%~50%，可利用成本优势迅速抢占市场份额。环欧公司是国内唯一一家可以批量生产重掺杂区熔硅单晶的厂家，也是世界上少数具有此项技术的公司。区熔重掺硅单晶具有较低的氧、碳含量，其轴向电阻率分布可以控制在较窄的范围，合格率较高因而获得较低的成本。晶盛机电：JSH800气致冷多晶硅铸锭炉浙江晶盛机电股份有限公司开发的JSH800气致冷多晶硅铸锭炉是采用定向凝固法制备多晶硅锭的设备。它实现了从抽真空、加热、熔化、长晶、退火及冷却多个工艺的全自动运行程序，可生产800kg光伏级多晶硅锭。这种铸锭炉改进了传统单一电源的加热方式，实现了对晶体生长热场纵向梯度的精确控制，缩短了生产周期、降低了生产能耗；设备的热交换台底部气致冷闭式冷却系统，可精确控制晶体生长的水平梯度，增大铸造多晶硅晶粒尺寸、减少晶界密度、进而提高硅电池光电转换效率；设备还采用了新型热场隔热环结构，降低了坩埚四周温度，使坩埚底部晶核生长均匀。JSH800气致冷多晶硅铸锭炉区别于传统的弱控制方式，采用强控制气致冷技术，更适合类单晶铸锭的生长工艺要求；基于双电源的顶侧分开独立控制加热装置可有效优化熔化及长晶的固液界面，可实现投入薄籽晶能产出高类单晶比例的目的。

随着LED的应用日益广泛，LED驱动电源的性能将越来越适合LED的要求。市场研究Databeans的最新报告预测，全球类比晶片市场销售额2012年约可达438亿美元，较2011年成长3%。据报告指出，到2012年如果形成100万辆混合动力汽车的规模，电池隔膜需要将近4亿平方米，而目前国内隔膜的总产能只有1.3亿平米。未来动力电池可能将是翻番式的增长，其需求将是手机电池的10倍以上。近期媒体上出现了大量的OLED将取代LCD的大量报道，特别是在一些日韩大厂在OLED上正加紧布局敏感时刻，这种观点更是甚器尘上。而大陆企业进入LCD液晶显示产业本身就起步晚，产业链布局还没完善，难道又要面临被落后的命运？下面，我们从技术的发展角度来分析比较OLED和LCD发展趋势：

为庆祝发布，TaleworldsEntertainment的设计师和出品人MikailYazbeck也到场庆祝，期间他说：我正在制作《骑马与砍杀2（MountBlade2）》！！！没错，这是首次官方公布《骑马与砍杀2》游戏。游戏类别：动作游戏游戏平台：PC开发商：RockstarGames发行商：RockstarGames发行时间：2008122专题：侠盗飞车4 《上古卷轴5：天际》将在今年11月11号正式上市，登陆平台为PS3/Xbox/PC。

英利绿色能源董事长兼首席执行官苗连生先生表示：征收关税对中国和美国的光伏产业都将产生不利的影响，美国公布的反补贴税率虽然低于我们的预期，但是并不乐观，我们会继续积极应对，为中国光伏企业抗争和申辩。我们将继续重视美国市场在光伏行业的重要地位，继续秉持自由贸易和公平竞争的理念，为美国客户提供支持。图1：试制品的芯片照片（点击放大）据介绍，耐压提高的原因是，在高浓度2DHG的作用下，所有通道会像Super-Junction构造的硅制MOSFET一样空乏化，成为绝缘体（图3）。而电流崩塌得到抑制的原因是，电场集中现象不易出现，有助于减少泄漏电子（图4）。POWDEC曾采用该构造试制出了前面提到的耐压为1.1kV的产品。此次为提高耐压，将P型GaN层的长度从约20m拉长到了约40m。结果，加载3kV电压时的漏电流为1A/mm，加载6kV电压时的漏电流还不到100A/mm（图5）。导通电阻为130mcm2。此次的试制品可在-6V的阈值电压下实现常开（NormallyOn）工作（图6）。基板采用蓝宝石基板。（记者：根津祯，《日经电子》）图3：在试制的GaN类功率晶体管的构造中，当向相当于漏极的阴极加载电压较高的反向偏压时，空乏层会扩大至整个通道。因此提高了耐压.图4：如果向试制品的源极漏极间加载高电压，二维空穴气和通道的电子就会一同消失，整个通道的电阻就会变大。因此，电场强度变小，而且强度分布也基本固定。从而减少了栅极的泄漏电子。