目前，有研亿金公司的微电子级超高纯铜主要应用于极大规模集成电路铜制成晶圆制造、先进封装和薄膜太阳能CIGS工艺，产品包括系列溅射靶材、铜阳极和蒸发材料。其中TangoAxcela300系列封装用铜靶材基本占领了国内主要的系列封装类高纯铜靶材市场，取代了进口产品，并开始出口销售美国市场。杭州格林达：电子级光刻胶显影液四甲基氢氧化铵电子级四甲基氢氧化铵（TMAH）是电子化学品中用量最大的产品之一，作为显影液广泛用于TFT-LCD（彩色薄膜晶体管液晶显示器）及半导体的生产过程。在玻璃基板或电子元器件经过镀膜、上光阻、曝光后，用四甲基氢氧化铵水溶液来清洗曝光后的光阻，从而达到所需的图形。由于清洗质量的好坏直接影响到电子产品品质，因此对电子级四甲基氢氧化铵的质量要求十分严格。与其它如KOH显影液相比，TMAH最突出的优点是纯度高，金属离子含量低，显影清洗后不留金属痕迹，显影效果也非KOH所能比。杭州格林达化学有限公司的TMAH产品采用了一条比国际上所用生产技术更先进，更绿色的生产路线，主要采用的技术创新体现在纯化技术、特殊电解阳极的研制、特种离子交换膜的选用、高精度的过程浓度在线检测控制技术、专用的界面活性剂以及碳酸盐电解法生产工艺技术。它选定的阳极材料可连续使用六个月以上，远高于钌钛电极的使用寿命（20天）；选用的350型膜使用6个月基本不起泡，产品质量指标正常，同时产品离子选择性率高，单个金属离子浓度小于1ppb。通过连续在线的微量分析、调节控制等方式，使过程浓度控制精度达到0.03%。碳酸盐电解法则对环境基本无危害，合成过程产生的甲醇全部回收循环套用，合成中间体电解用，阴极液是产品，冷却用水循环利用。工艺过程环保，产品绿色。格林达化学有限公司电子级TMAH技术的突破及其产业化，直接影响了全球TMAH的市场与价格，该产品的国际价格下调超过20%，改变了国内电子行业所需的电子级产品完全依赖进口的局面。目前公司产品在国内TFT-LCD行业已占有90%以上的市场分额，在全球占有25%的市场份额。普兴电子：8英寸快恢复二极管用双层外延片快恢复二极管（简称FRD）技术方案各家大同小异，但是解决器件软特性硅外延材料的分布起着至关重要的作用，河北普兴电子科技股份有限公司已成功生长了满足器件要求的双层外延材料，器件结果已达到或超过了国外同类产品水平。目前，采用缓冲层结构可以有效改善反向恢复的软特性，制作成n-nn+型外延结构，n型为缓冲层，缓冲层形成双基区，可以显著改善二极管的软度，在反向恢复过程中使得耗尽层到达缓冲层后扩展明显减慢，这样，经过少数载流子存储时间之后，在缓冲层中还有大量的载流子未被复合抽走，使得复合时间相应增加，从而提高二极管的软度因子。河北普兴电子科技股份有限公司通过控制气流、温度场、衬底边缘及背面、基座等参数，使该产品在国内率先实现了批量生产，参数典型结果为：厚度均匀性（EE10mm）1.5%；电阻率均匀性（EE10mm）2%；GBIR：8um；STIR1m，强光灯下100%无滑移，背面及边缘平整度也达到了和国外同类产品相当的水平。中能硅业：GCL法多晶硅超大规模清洁生产技术GCL法多晶硅超大规模清洁生产技术，是江苏中能硅业科技发展有限公司在创新集成氯氢化、高效化学气相沉积、反歧化等关键技术，结合自主研发形成的、物料和能量平衡得到充分优化的新一代高效多晶硅生产工艺。在对国外先进技术和设备引进吸收的基础上，技术团队对关键技术进行了大量自主创新，系统分析并优化了物料和能量平衡，重新构建了工艺链，最终在技术指标上全面超越引进技术，成功实现物料的全循环利用，并逐步实现了设备的国产化。其中关键技术环节的创新如下：氯氢化技术：将冶金级硅粉加热后送入流化床反应器，还原回收的副产物SiCl4加热汽化，和预热的氢气一起送入反应器，在SiCl4、氢气、硅粉反应的同时，加入预热过的氯化氢气体，以提高硅粉的一次转化率和SiHCl3的产量。反应混合气经旋风分离器除尘后，回收热量，淋洗冷凝，得到液态氯硅烷产物，精馏分离出SiHCl3。不凝气（氢气）回收重新反应。这种方案将氯化氢引入反应，最大限度地利用反应热，并提高了硅粉的单程转化率和SiHCl3产量；采用了系统外加热，提高了反应体系的稳定性和安全性；采用新型催化剂，提高SiCl4单程转化率到28％以上；采用高效湿法除尘工艺，有效去除产物中的杂质。高效化学气相沉积技术：采用了新结构的大型高效还原炉，优化了硬件，辅以相配套的工艺参数，改善了反应器内流场和温场分布，促进了还原反应并抑制了副反应发生，将SiHCl3原料的还原实收率、产品还原电耗、单炉产量都提升到国内领先、国际先进水平。这种高压、高沉积速率工艺技术方案，大幅降低生产电耗并提高了沉积速率；设计开发了具有特殊电极排布方式的大型高效还原炉，具备优于传统还原炉的空间利用率和生产效果。反歧化技术：该技术采用固定床反应器，在固定床反应器中SiH2Cl2在催化剂作用下转化为SiHCl3，得到含有少量SiH2Cl2的SiHCl3、SiCl4混合物，将混合物进行精馏分离，得到的SiHCl3经进一步提纯供给多晶硅还原工序，SiH2Cl2和四氯化硅返回固定床反应器。这种技术方案的优点是：单程转化率高，SiH2Cl2单程转化率在96%以上；催化效率高、反应条件温和；处理量大，采用固定床反应器，单套设备年处理能力可达到10000吨/年以上。天津环欧：10-2cm5英寸区熔重掺硅单晶区熔重掺硅单晶是天津市环欧半导体材料技术有限公司通过设计高精度掺杂装置、改进工艺，克服了高浓度气掺条件下的电离打火、成晶困难等问题，并在保证高浓度掺杂计量的情况下，以时间为单位控制每一部分单晶的掺杂量，成功制备了轴向电阻率均匀变化小、电阻率入档合格率高的区熔重掺硅单晶，从而提高了单晶出片率（单位长度单晶切片数），使成本得到有效的降低。产品可用于制备TVS等一些对硅单晶电阻率控制范围较严格的器件上，如在TVS器件要求条件下（电阻率1.24~1.9cm时），同直拉法制备重掺杂硅单晶相比，区熔重掺硅单晶可有效降低成本约30%~50%，可利用成本优势迅速抢占市场份额。环欧公司是国内唯一一家可以批量生产重掺杂区熔硅单晶的厂家，也是世界上少数具有此项技术的公司。区熔重掺硅单晶具有较低的氧、碳含量，其轴向电阻率分布可以控制在较窄的范围，合格率较高因而获得较低的成本。晶盛机电：JSH800气致冷多晶硅铸锭炉浙江晶盛机电股份有限公司开发的JSH800气致冷多晶硅铸锭炉是采用定向凝固法制备多晶硅锭的设备。它实现了从抽真空、加热、熔化、长晶、退火及冷却多个工艺的全自动运行程序，可生产800kg光伏级多晶硅锭。这种铸锭炉改进了传统单一电源的加热方式，实现了对晶体生长热场纵向梯度的精确控制，缩短了生产周期、降低了生产能耗；设备的热交换台底部气致冷闭式冷却系统，可精确控制晶体生长的水平梯度，增大铸造多晶硅晶粒尺寸、减少晶界密度、进而提高硅电池光电转换效率；设备还采用了新型热场隔热环结构，降低了坩埚四周温度，使坩埚底部晶核生长均匀。JSH800气致冷多晶硅铸锭炉区别于传统的弱控制方式，采用强控制气致冷技术，更适合类单晶铸锭的生长工艺要求；基于双电源的顶侧分开独立控制加热装置可有效优化熔化及长晶的固液界面，可实现投入薄籽晶能产出高类单晶比例的目的。我们期盼，作为世界第二大经济体的中国，在半导体产业未来的排行榜上，不要再与其他为伍。受面板厂持续亏损、市场需求高成长不再影响，全球面板厂去年大砍资本支出，今（2012）年都还将进一步下调。根据市调机构统计，去（2011）年全球TFT面板设备投资总额约130亿美元，主要是国内8.5代厂和AMOLED设备投资，今（2012）年预估面板设备投资总额还将下

珠海警方刑警支队负责人徐广华称，澳门赌权开放后，博彩业蓬勃发展，珠海与澳门紧密相邻，涉及非法追收赌债、高利贷等犯罪活动频繁发生，并有增加趋势，其特点是内地游客在澳赌博欠下赌债或高利贷后，由收数集团押解到珠海或中山非法拘禁，关押偏僻处，然后以暴力折磨事主的方式向其家人敲诈勒索。由于珠澳地缘关系，内地大多数该类报案警情都集中到珠海，给珠海警方带来巨大压力。接着，他又在2月3日举办的振兴贸易战略会议中表示，游戏也有有害一面。虽然游戏公司可能会觉得有点冤，但为了整个社会，也要努力推出能让青少年健康成长的游戏。

diii：我们能看到暗黑1或暗黑2中的套装或者暗金装备在暗黑3中回归么？ 昨晚在接受采访时，JohnRiccitiello说他最近打通了《死亡空间2》，感觉难以压制的兴奋和激动(CEO是不用等到2011年才能玩到2011年的游戏的)。Crytek目前正在开发全平台的《孤岛危机2》，而其前作《孤岛危机》确实PC独占的游戏。

四月，春日葳蕤。行驶在融安县桥板乡阳山村宽畅笔直的水泥路上，村容整洁、房屋错落，很难想象这就是有四十八弄之称的阳山村。为推动农村环境卫生明显改善，促进广大农村居民养成良好的生活习惯，形成文明健康的生活方式。近期，西林县开展五个一抓好美丽西林清洁乡村工程。年近50岁的潘良发是马岚村砂糖橘种植专业合作社理事长，是阳朔远近闻名的致富能人。他管理的合作社采取统一施肥、统一防病、统一清园、联合销售方式，现已发展会员达300户，砂糖橘种植面积达4500亩，会员年收入至少有10万元。

长城电脑公告称，通过投资合营企业，冠捷科技将取得稳定的60英寸/70英寸面板供应。奥维咨询统计显示，大尺寸担当2012年五一旺季的促销主力，预示全年彩电尺寸将继续往大尺寸漂移。其中，42英寸以上的中大尺寸降幅均超过10%，超过小尺寸。市场研究机构IHSDisplaybank指出，随着智能型手机与平板计算机市场的成长，产业对薄型化方案的需求亦逐步增加。为了呼应市场的需求，采用薄型PVA或选择采取替代TAC薄膜等方式的多种偏光片组合产品相继问世；在此同时，使用薄型压克力薄膜的偏光片产品开始被采用。估计采用压克力薄膜的产品的比重将从2014年开始成长，到2016年在PlainTAC膜（除补偿膜之外的PVA保护膜）与补偿膜市场比例都将达到20%左右。