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从足球到篮球，随着模拟技术的演变，游戏市场不再仅仅局限于游戏发售时的那一阵热潮。
随着时间推移，游戏的闪光点会趋于黯淡，那些冷静分析后发现的小错误和其他不完善之处会取而代之，一步步侵蚀。更糟的是，游戏的标题越是美妙，越是吸引玩家，在最初的激情消散后最终的结局就越是凄凉。挑剔的FIFA粉丝们先是狂赞不已，须臾奉承，竖起拇指。据悉被窃走的SOE账户信息包括：姓名、地址、邮件地址、性别、出生日期、电话号码、登录名及登录口令的哈希值。
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现阶段，国内先进半导体封装制程设备的研发和推广使用极大地改变了我国半导体封测业严重依赖外资厂商提供设备的现况，有效降低了生产制造成本，显著提高了我国半导体封测业的竞争力，给予了我国半导体封测业在先进封装制程领域弯道超车的历史机遇提供了必要条件。转印技术的概要（图片由NTT提供转印的优点（图片由NTT提供）日本电信电话（NTT）宣布，开发出了可将LED等使用的GaN（氮化钾）类半导体薄膜元件从蓝宝石基板上轻松剥离下来的工艺。采用该技术能够以低成本制造厚度为2m的薄型GaN类半导体薄膜元件。有望扩大G日本电信电话（NTT）宣布，开发出了可将LED等使用的GaN（氮化钾）类半导体薄膜元件从蓝宝石基板上轻松剥离下来的工艺。采用该技术能够以低成本制造厚度为2m的薄型GaN类半导体薄膜元件。有望扩大GaN类半导体薄膜材料的应用范围，比如可视光透过后只高效吸收紫外线的太阳能电池，以及厚度为200m的薄型LED等。另外，通过增大可剥离的薄膜元件的面积，还有望在大面积的薄膜元件上层叠其他材料形成具有新功能的薄膜元件等用途。据NTT介绍，在蓝宝石基板上层叠、加工GaN类半导体薄膜元件，用来制造器件时，基板的厚度必须要达到0.5mm左右。因此，全世界都在研究如何在加工后将薄膜元件从基板上完整剥离下来，并粘贴到其他基板上的技术。NTT的物性科学基础研究所着眼于与石墨具有相同层状结晶结构的BN（氮化硼）展开研究，开发出了MeTRe法（MechanicalTransferusingaReleaselayer）。MeTRe法可以完好保持剥离后的结晶面，因此可省去以前提出的转印方法所必需的、在剥离后削平表面的工序。而且，使用MeTRe法剥离也不需要大型设备及化学药剂，有望大幅削减制造时间及制造成本。开发要点有以下两项。高品质层叠层状BN薄膜MeTRe法在基板上层叠具有层状结晶结构的高品质BN薄膜，并在上面再层叠高品质薄膜元件。在这样的构造中，BN薄膜在生长用基板与薄膜元件之间起着像邮票齿孔一样的作用，可轻松剥离并粘贴到其他基板上。
据NTT介绍，此次通过找到最佳成膜条件，实现了结晶方向统一的高品质BN薄膜的层叠。在层状BN薄膜上高品质层叠GaN薄膜元件此次的开发的技术首先在层状BN薄膜上层叠晶体构造不同的AlxGa1-xN（氮化铝镓）或AlN（氮化铝）作为缓冲层，然后再层叠GaN薄膜元件。在层状BN薄膜上直接层叠具有纤锌矿结构的GaN的话，由于晶体构造不同，因此难度很大。而含Al的AlxGa1-xN及AlN与衬底基板具有良好的浸润性，被广泛用于层叠在晶体结构不同的基板上。通过将这类物质用作层状BN薄膜与GaN之间的缓冲层，不管晶体结构是否不同，均可层叠形成高品质的薄膜元件。NTT今后将加大可剥离的薄膜元件的面积，同时致力于粘贴在窗户及交通用工具上使用的太阳能电池领域的应用，以及对已有器件的特性改善等方面的实证。此次的开发成果已刊登在4月12日出版的英国科学杂志《Nature》上MeTRe法的概要（图片由NTT提供）对GaN类半导体薄膜元件实施转印的以往代表性方法与此次方法的比较（图片由NTT提供）层状BN上的高品质层叠GaN薄膜（图片由NTT提供）在太阳能电池领域的应用示意图（图片由NTT提供）
阿普尔顿出生于加利福尼亚州，在1983年从博伊西州立大学(BoiseStateUniversity)毕业之后就进入了美光科技工作，从夜班工人做起。并在1994年被任命为CEO，他在1996年曾经辞职，但是在9天之后，由于董事会的再三要求，他又回到了自己的岗位上。